IPR SMART / Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора

Чтение online

Недоступно

Рейтинг издания

Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора. Учебное пособие

Издательство:

Донской государственный технический университет

Авторы:

Осипенко И.А., Попова И.Г., Благин А.В.

Год издания:

2019

ISBN:

978-5-7890-1755-5

Тип издания:

учебное пособие

DOI:

https://doi.org/10.23682/117738 узнать подробнее

Об издании

Содержит краткое изложение теории расчёта электрических характеристик многоэмиттерного биполярного транзистора и методику расчёта этих характеристик с помощью системы компьютерной математики MathCAD для проведения практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Основы проектирования электронной компонентной базы». Предназначено для подготовки обучающихся по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника профиль «Светотехника и источники света».

Библиографическая запись

Осипенко И.А. Основы проектирования многоэмиттерного биполярного транзистора : учебное пособие / Осипенко И.А., Попова И.Г., Благин А.В.. — Ростов-на-Дону : Донской государственный технический университет, 2019. — 54 c. — ISBN 978-5-7890-1755-5. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/117738.html (дата обращения: 18.09.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей

РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ

Организация туристской деятельности

Веселова Н.Ю.

(Дашков и К, Ай Пи Эр Медиа)

Фармацевтическая химия

Балыклова К.С., Власов А.М., Гегечкори В.И., Горпинченко Н.В., Карташов В.С., Касумова К.В., Кокорекин В.А., Кузина В.Н., Медведев Ю.В., Передеряев О.И., Печенников В.М., Прокофьева В.И., Раменская Г...

(Лаборатория знаний)