Физические основы роста кристаллов. Ч.1. Учебное пособие
Об издании
Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества.
Библиографическая запись
Каплунов И.А. Физические основы роста кристаллов. Ч.1 : учебное пособие / Каплунов И.А., Иванова А.И., Третьяков С.А.. — Тверь : Тверской государственный университет, 2023. — 83 c. — ISBN 978-5-7609-1829-1. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/136333.html (дата обращения: 24.11.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Алексеев Г.В., Холявин И.И.
(Ай Пи Ар Медиа)
Кулешов Ю.Н., Подольный Р.Н.
(Ай Пи Ар Медиа)
Голов Р.С., Агарков А.П., Мыльник А.В.
(Дашков и К)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Родионов О.Е.
(Троицкий мост)
Курбатов В.А., Рысин Ю.С., Яблочников С.Л.
(Профобразование)
Балабанов В.Ю.
(Профобразование)
Лихолетов В.В.
(Инфра-Инженерия)
Лихолетов В.В.
(Инфра-Инженерия)
Крамаренко Н.В.
(Новосибирский государственный технический университет)
Баховцев И.А.
(Новосибирский государственный технический университет)