Чтение online
Недоступно
Рейтинг издания
Поделиться:

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза. Монография

Издательство:
Московский педагогический государственный университет
Авторы:
Кардакова А.И., Рябчун С.А., Ан П.П., Гольцман Г.Н.
Год издания:
2024
ISBN:
978-5-4263-0569-4
Тип издания:
монография
DOI:

Об издании

Монография посвящена экспериментальному исследованию процессов энергетической релаксации неравновесного резистивного состояния в сверхпроводниковых пленках нитрида титана (TiN) и легированных бором пленках алмаза (C:B). Результаты экспериментального исследования дают новые сведения о характерных временах и механизмах энергетической релаксации в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза. Данные сведения имеют важное значение при разработке и создании детекторов электромагнитного (ЭМ) излучения. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.

Библиографическая запись

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных бором пленках алмаза : монография / А. И. Кардакова, С. А. Рябчун, П. П. Ан, Г. Н. Гольцман. — 2-е изд. — Москва : Московский педагогический государственный университет, 2024. — 114 c. — ISBN 978-5-4263-0569-4. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/145752.html (дата обращения: 26.11.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей

РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ

Этот сайт использует «cookies». Условия использования «cookies» см. в Пользовательском соглашении. Также сайт использует инструменты для сбора технических данных касательно посетителей с целью получения маркетинговой и статистической информации. Условия обработки данных посетителей сайта см. в Политике конфиденциальности. В случае несогласия с обработкой данных, просим покинуть сайт Принять условия