Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур. Монография
Об издании
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
Библиографическая запись
Ковалев А.Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / Ковалев А.Н.. — Москва : Издательский Дом МИСиС, 2011. — 364 c. — ISBN 978-5-87623-489-6. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/98107.html (дата обращения: 23.11.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Абрашкина Е.Д., Агирбов Ю.И., Андреев О.П., Ариничев В.Н., Ашмарина Т.И., Бритик Э.В., Горбачев М.И., Грачев А.Б., Дрямов С.Ю., Евграфова Л.В., Егоров А.А., Ивакина Е.Г., Кабдин Н.Е., Каратаева О.Г.,...
(Ай Пи Ар Медиа)
Алексеев Г.В., Вороненко Б.А., Гончаров М.В., Сергачева Е.С.
(Ай Пи Ар Медиа)
Никулин В.И., Горденко Д.В., Сапронов С.В., Резеньков Д.Н.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
Лёвина Г.М., Николенко Е.Ю.
(Ай Пи Ар Медиа)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Михайлов А.А., Ботыгин В.И., Гинко В.И., Кисляков П.А., Смирнов В.А.
(Инфра-Инженерия)
Галас В.П.
(Владимирский государственный университет им. А.Г. и Н.Г. Столетовых)
Смирнов Б.А.
(Всероссийский государственный университет кинематографии имени С.А. Герасимова (ВГИК))
Ветрова Т.Н.
(Всероссийский государственный университет кинематографии имени С.А. Герасимова (ВГИК))
(Всероссийский государственный университет кинематографии имени С.А. Герасимова (ВГИК))
Кузнецов В.В., Прямов В.В.
(Всероссийский государственный университет кинематографии имени С.А. Герасимова (ВГИК))
Шаманов А.П.
(Уральский федеральный университет, ЭБС АСВ)